品利基金：第三代半导体SiC、GaN行业投资报告（57页）

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摘要：

材料SiGaAsGaNSiC(4H)ZnOAlNβ-Ga2O3金刚石禁带宽度Eg(eV)1.11.433.393.03.376.24.95.5熔点（℃）14201240250025401975280017404000电子迁移率(cm/Vs)15008500100080019630010-2002000空穴迁移率(cm/Vs)6004002005050141800临界击穿电场Ec(MV/cm)0.30.63.34.014810.0电子饱和速度Vs(107cm/s)1.01.03.52.03.22.7介电常数11.812.55.59.78.753.6105.68热导率(W/cm.k)1.50.46...

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