半导体行业SiC衬底：产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速发展-211123（23页）

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摘要：

1本报告版权属于安信证券股份有限公司。各项声明请参见报告尾页。SiC衬底--产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速发展■衬底是产业链最核心的环节，直接制约碳化硅应用放量：碳化硅材料属于第三代半导体，碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用，衬底属于碳化硅产业链上游，制备工艺复杂，生长速度慢，产出良率低，是碳化硅产业链亟待突破的最核心部分，也是国内外厂商重点发力的环节。根据CASA，产业链价值量集中于衬底环节，目前价值量占整个产业链50%左右。与硅相比，碳化硅衬底制备技术壁垒高，成本远高于硅衬底。碳化硅衬底制备过程主要存在以下难点：一是对温度和压力的控制要求高，其生长温度在2300...

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