GaN行业深度：5G、快充、UVC，第三代半导体潮起-200218[33页]

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摘要：

[table_main]行业深度模板证券研究报告·行业深度研究GaN行业深度：5G、快充、UVC——第三代半导体潮起射频GaN在5G基站和军用雷达的应用中独具优势GaN射频器件具有高频、高功率、宽带宽、低功耗、小尺寸的特点，能在5G时代节省宝贵的PCB空间，并达到良好的功耗控制。GaN-on-Si有望挑战BTS和RF功率市场中现有的LDMOS解决方案。到2024年GaN射频市场空间可达20亿美元，CAGR达21%，主要由军用雷达和无线基础设施市场拉动。全球市场主要由以Cree和住友电工为代表的美日企业统治，国内厂商如三安光电、海特高新、华进创威在GaNRFHEMT领域有一定实力。快充、汽车电子...

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