电子元器件行业深度分析：晶圆平坦化的关键工艺，CMP设备材料国产替代快速推进-220610（43页）

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摘要：

1晶圆平坦化的关键工艺，CMP设备材料国产替代快速推进■CMP是晶圆平坦化关键工艺，设备及材料需求随着先进制程推进增长：CMP是实现晶圆全局平坦化的关键工艺，指的是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化。CMP避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点，在先进制程中得到广泛应用。随着摩尔定律推进，晶圆制程不断升级，CMP工艺次数大幅提高，成熟制程90nm工艺CMP步骤为12步，先进制程7nm工艺的CMP步骤提高到30步，抛光次数倍数级增长，先进制程晶圆占比的提高带动了CMP设备及材料需求大...

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