电子行业IGBT：功率半导体皇冠上的明珠-200409[20页]

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摘要：

《IGBT：功率半导体皇冠上的明珠》证券研究报告（优于大市，维持）陈平（电子行业首席分析师，SAC号码：S0850514080004）谢磊（电子行业分析师，SAC号码：S0850518100003）尹苓（电子行业分析师，SAC号码：S0850518100002）2020年4月9日IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极型晶体管，兼具BJT和MOSFET两者的优点。参照斯达半导招股说明书，IGBT是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低...

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