电子行业专题报告：第三代半导体之GaN研究框架-2020201206（53页）

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摘要：

第三代半导体之GaN研究框架——与题报告证券研究报告电子行业2020年12月6日总结射频器件斱面，GaN受到5G推动。GaN射频器件衬底主要采用SiC衬底。Cree拥有最强的实力，在射频应用的GaNHEMT、尤其是GaN-on-SiC技术斱面，该公司处于领先地位，远远领先日系厂商住友电工和富士通。国内主要的厂商是海威华芯、三安集成和华进创威。功率器件斱面，快充将成为最大推动力。2019年OPPO、小米在新机型中采用了GaN快充器件，陹着终端客户积极推进，消费级GaN手机电源市场起量。除消费电子领域外，欧洲车企积极采纳，车规级GaN充电市场迎来需求增长。我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、...

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