新三板TMT行业专题系列报告之十四：第三代半导体先天性能优越，潜在市场空间巨大（10页）

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摘要：

本报告的信息均来自已公开信息，关于信息的准确性与完整性，建议投资者谨慎判断，据此入市，风险自担。请务必阅读末页声明。电子行业推荐（维持）新三板TMT行业专题系列报告之十四风险评级：中高风险第三代半导体先天性能优越，潜在市场空间巨大行业指数走势资料来源：东莞证券研究所，Wind相关报告投资要点：第三代半导体先天性能优越，市场空间巨大。与第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点，具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力，可满足...

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