通信行业碳化硅专题之衬底篇：占据价值高地，国产崛起机遇已至

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摘要：

《碳化硅专题之衬底篇：占据价值高地，国产崛起机遇已至》证券研究报告（优于大市，维持）余伟民（通信行业首席分析师）SAC号码：S0850517090006联系人：夏凡2022年12月31日投资要点碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。产业链价值高地，产能释放最关键环节。衬底是碳化硅产业链的核心，在碳化硅器件的成本占比当中：衬底、外延、前段分别占比47...

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